集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。
成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。
性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。
2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。


RC电路充电公式Vc=E(1-e(-t/R*C))。
关于用于延时的电容用怎么样的电容比较好，不能一概而论，具体情况具体分析。
实际电容附加有并联绝缘电阻，串联引线电感和引线电阻。
还有更复杂的模式--引起吸附效应等等。
供参考。
E是一个电压源的幅度，通过一个开关的闭合，形成一个阶跃信号并通过电阻R对电容C进行充电。
E也可以是一个幅度从0V低电平变化到高电平幅度的连续脉冲信号的高电平幅度。
电容两端电压Vc随时间的变化规律为充电公式Vc=E(1-e(-t/R*C))。



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，所示电路，按瞬时极性法判断。
设同相输入端u+有一瞬时增量，则输出uo为，经电阻Rf返送至反相输入端，使u-为，即反馈信号的瞬时极性为。
其次，通过比较反馈信号与输入信号的瞬时极性来判断电路引入的是正反馈还是负反馈。
当输入信号和反馈信号不在同一节点引入(其中一个节点为基极,另一个节点为发射极，或不同输入端)))如差动放大电路、集成运算放大电路等)时,若两者的瞬时极性相同，则为负反馈；两者的瞬时极性相反，则为正反馈。

集成电路（IC）芯片在封装工序之后，必须要经过严格地检测才能保证产品的质量，芯片外观检测是一项必不可少的重要环节，它直接影响到 IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。
外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，该方法对设备的硬件要求较高，成本相应较高，设备故障率高，维护较为困难；三是基于机器视觉的检测方法，这种方法由于检测系统硬件易于集成和实现、检测速度快、检测精度高，而且使用维护较为简便，因此，在芯片外观检测领域的应用也越来越普遍，是 IC 芯片外观检测的一种发展趋势。