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在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。
SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。
除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。
DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。
将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。
（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。

HB型要通过轴向磁路形成三维磁路，并且定子铁心叠片很厚，磁通要垂直穿过铁心叠片；而RM型步进电机的转子磁路垂直于输出轴平面流通，定子磁路沿硅钢片压延方向形成，故磁路变短，磁阻减小。
RM型的转子表面因没有HB型的软磁材料，所以没有磁阻、电感小，适用于高速运行。
从上述分析看出，该电机适用于高速、髙输出功率、低振动、低噪音场合。
与HB型比较，因磁极数的限制，难以达到高分辨率（微小步距角），所以要依据使用目的加以选择。




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