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然后在该绝缘层上沉积多晶硅,再次施加光致抗蚀剂,并且晶片通过掩模暴露于光,再次剥离曝光的光致抗蚀剂。
现在,这两层多晶硅和薄氧化层被蚀刻掉。
第3步:掺杂工艺
这是将不纯原子引入暴露的硅中的过程,离子注入机用于将杂质诱导原子引入硅中,这只改变了暴露硅的导电率一微米。剥离光致抗蚀剂残留物后,施加另一氧化层,并且晶圆将施加光致抗蚀剂的另一循环。