然后在该绝缘层上沉积多晶硅，再次施加光致抗蚀剂，并且晶片通过掩模暴露于光，再次剥离曝光的光致抗蚀剂。

现在，这两层多晶硅和薄氧化层被蚀刻掉。

第3步：掺杂工艺

这是将不纯原子引入暴露的硅中的过程，离子注入机用于将杂质诱导原子引入硅中，这只改变了暴露硅的导电率一微米。剥离光致抗蚀剂残留物后，施加另一氧化层，并且晶圆将施加光致抗蚀剂的另一循环。

取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管---分立晶体管。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。