通过掩模曝光，添加剥离接触孔以允许导电层的接触和互连能够集成到晶片中，这是通过在晶片和专用机器上沉积各种金属合金来实现的，这提高了微芯片的效率。

第四步：平滑精整

在掩模上施加光刻胶，使得未暴露的跳闸在蚀刻工艺之后保持原样，这为底层提供了一个接触点，使绝缘层具有光滑的表面。

这需要一种化学机械工艺，用于以微米精度抛光多余的材料。

显影芯片图案的暴露区域，显示下面的氧化物延迟

未暴露的部分保留下来

因为它保护了之后的氧化物层，暴露的氧化物层在用等离子体显影的区域中被蚀刻掉。此工艺中的蚀刻，将特殊气体与待在反应室中移除的基材结合，这使得可以在窗口中移除微观层。

在上一步中曝光和显影的区域，一旦光致抗蚀剂残留物被剥离，晶片被清洁后，它将经历进一步的氧化。