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显影芯片图案的暴露区域，显示下面的氧化物延迟

未暴露的部分保留下来

因为它保护了之后的氧化物层，暴露的氧化物层在用等离子体显影的区域中被蚀刻掉。
此工艺中的蚀刻，将特殊气体与待在反应室中移除的基材结合，这使得可以在窗口中移除微观层。

在上一步中曝光和显影的区域，一旦光致抗蚀剂残留物被剥离，晶片被清洁后，它将经历进一步的氧化。